The variation in rigidity of the minority carriers of a crystal and the velocity of the surface recombination during irradiation and annealing, is studied. The method is based on the artificial change of the recombination velocity which is caused by the bombardment of the semiconductors surface with nuclear particles.
Μελετάται η μεταβολή της ευκινησίας των φορέων μειονότητος του κρυστάλλου και της ταχύτητας επιφανειακής επανασυνδέσεως κατά την ακτινοβόληση και κατά τις ανοπτήσεις. Η μέθοδος στηρίζεται επί της τεχνητής μεταβολής της ταχύτητας επανασυνδέσεως, που προκαλείται απ'τον βομβαρδισμό της επιφάνειας του ημιαγωγού με πυρηνικά σωμάτια.
